SiC基板

簡単な説明：

高い平滑性
2.高格子整合(MCT)
3.低い転位密度
4.高い赤外線透過率

製品の詳細

製品タグ

説明

炭化ケイ素 (SiC) は、IV-IV 族の二元化合物であり、周期表の IV 族の唯一の安定した固体化合物であり、重要な半導体です。SiC は優れた熱的、機械的、化学的、電気的特性を備えているため、高温、高周波、高出力の電子デバイスの製造に最適な材料の 1 つであり、基板材料としても使用できます。 GaNベースの青色発光ダイオード用。現在市場では4H-SiCが主流となっており、導電型は半絶縁型とN型に分かれます。

プロパティ

アイテム	2インチ 4H N型
直径	2インチ(50.8mm)
厚さ	350+/-25um
オリエンテーション	軸外 4.0° <1120> 方向 ± 0.5°
プライマリフラット方向	<1-100> ±5°
セカンダリフラットオリエンテーション	一次平面から 90.0° CW ± 5.0°、Si フェイスアップ
一次平坦長さ	16±2.0
二次平坦長さ	8±2.0
学年	量産グレード（P）	研究グレード(R)	ダミーグレード(D)
抵抗率	0.015～0.028Ω・cm	< 0.1Ω・cm	< 0.1Ω・cm
マイクロパイプ密度	≤ 1 マイクロパイプ/cm2	≤ 10マイクロパイプ/cm²	≤ 30 マイクロパイプ/cm2
表面粗さ	Si 面 CMP Ra <0.5nm、C 面 Ra <1 nm		該当なし、使用可能な領域 > 75%
TTV	< 8 μm	< 10um	< 15 μm
弓	< ±8 μm	< ±10um	< ±15um
ワープ	< 15 μm	< 20 μm	< 25 μm
ひび割れ	なし	累積長さ ≤ 3 mm 縁に	累積長さ≤10mm、シングル長さ ≤ 2mm
傷	スクラッチ 3 個以下、累積長さ < 1*直径	スクラッチ 5 個以下、累積長さ < 2*直径	≤ 10 スクラッチ、累積長さ < 5*直径
六角プレート	最大6皿、 <100um	最大12プレート、 <300um	該当なし、使用可能な領域 > 75%
ポリタイプ領域	なし	累積面積 ≤ 5%	累積面積 ≤ 10%
汚染	なし